2025年4月29日怀远策略，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2024）》（以下简称“报告”）重磅发布。
怀远策略
报告对2024年度国内外第三代半导体产业的政策环境变化、产品技术进展、产业及市场竞争等方面的进展进行了详细总结分析怀远策略，助力政府部门及企事业单位在第三代半导体领域的决策支撑。报告从形势政策、市场应用、生产供给、企业格局、技术进展等五大方面进行分析，并对超宽禁带半导体材料、专用装备、标准等相关进展进行总结。
总体而言，2024年，在新能源汽车、消费电子、人工智能、5G-A等需求拉动下，国内第三代半导体产业保持高增长态势。其中，功率器件市场规模达到176亿元，同比增长14.8%；射频器件市场规模为108亿元，同比微增4.5%；LED器件市场规模为784亿元，与去年基本持平。国内碳化硅（SiC）衬底产能快速扩张，价格下滑明显。晶圆制造能力大幅提高，国产SiCMOSFET器件开始应用于新能源汽车主驱系统，SiC模块实现大批量供应。SiC龙头企业市场占有率进一步提高，材料企业进入全球第一梯队。GaN功率电子产能利用率和产量快速提升，龙头企业出货量翻倍增长，居全球领先地位。
2024年，国内6英寸SiC衬底实现规模化供货，8英寸逐步量产，12英寸研发成功，沟槽型SiCMOSFET芯片工艺流程贯通。6英寸GaN单晶衬底开始小批量生产，8英寸蓝宝石基GaN单晶实现厚膜生长。GaN功率器件耐压水平拓展至1200V-10kV，双面散热、驱动集成封装产品持续推出。GaN射频异质集成技术成为热点，面向移动终端的GaN解决方案启动部署。Micro-LED红光亮度提升，全彩化技术路线快速演进，紫外光源与探测、大功率激光器产业化能力提升。
展望2025年，在全球市场复苏和国家“两新”“两重”“双碳”等政策助力下，第三代半导体产业将催生更多新增长点，并带动功率及射频电子产值增速达到20%以上。
目前怀远策略，报告电子版已发送到联盟各会员单位邮箱，如有未收到的请与联盟秘书处联系。
大牛证券提示：文章来自网络，不代表本站观点。
相关文章
沪深京指数
推荐资讯